【要約】
米国BAE Systems（防衛・航空大手）は、宇宙ミッション向けの耐放射線集積回路（IC）開発を支援する「RH12 Storefront」技術の機能拡充を発表した。報道によると、このプラットフォームは12ナノメートル（nm）FinFET技術を用いたASICやSoCの設計環境を提供し、従来世代と比べて性能向上と消費電力低減を両立する。設計者はIPライブラリやツールを活用することで、宇宙環境に必要な耐放射線性能を備えた高性能ICを開発できる。製造と認定はバージニア州マナッサスの施設で行われ、Trusted Sourceとして扱われる。これにより、宇宙機向けの高密度・高性能プロセッサの開発を支援し、次世代衛星のデータ処理能力向上に寄与するとされる。

【編集部コメント】
宇宙用半導体は信頼性確保を優先し、数十nm級の比較的古いプロセスが主流だった。12nm級FinFETの運用が進むことで、AI処理やエッジコンピューティングを宇宙空間へ展開する動きが加速すると予想される。先端民生技術を宇宙向けに適用する流れは産業全体で広がっており、宇宙システムの高性能化を後押しする。本件は、米国が安全保障宇宙分野におけるデータ処理能力強化を進める動きの一環と位置付けられる。

【出典情報】

公式リリース：
BAE Systems advances RH12 Storefront with new radiation-hardened circuit technology for space community
https://www.baesystems.com/en-uk/article/bae-systems-advances-rh12-storefront-with-new-radiation-hardened-circuit-technology-for-space-community

参照情報（媒体名）：SpaceDaily
発行日：2025/11/20
リンク：Radiation hardened circuit platform expands space electronics development
https://www.spacedaily.com/reports/Radiation_hardened_circuit_platform_expands_space_electronics_development_999.html

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