【要約】
GlobalFoundriesとBAE Systemsは2025年11月19日、宇宙および防衛用途の半導体で協力を強化すると発表した。
BAEはGFの12nm FinFETプロセス（12LP）を基盤に、宇宙環境での利用を想定した耐放射線設計の集積回路開発を支援する「RH12 Storefront」の取り組みを進める。
製造はニューヨーク州マルタのGF製造拠点で行い、重要用途向け半導体の国内製造体制を確保する狙いを示した。
両社は、処理性能や電力効率の向上により、衛星や宇宙システムのオンボード処理高度化に資する可能性があるとしている。
【編集部コメント】
本件は、衛星の自律処理や高機能化が進む中で、宇宙機器向け半導体を先端プロセスに近づけつつ、耐放射線性と供給安定性を同時に確保しようとする動きの一環と位置付けられる。
製造拠点を米国内に置くことで、調達面の不確実性を抑えつつ、宇宙・防衛分野での高性能チップ需要に応える布石となり得る。
【出典情報】
公式リリース
GlobalFoundries and BAE Systems Collaborate on Semiconductors for Space： https://gf.com/gf-press-release/globalfoundries-and-bae-systems-collaborate-on-semiconductors-for-space/

BAE Systems advances RH12 Storefront with new radiation-hardened circuit technology for space community： https://www.baesystems.com/en-uk/article/bae-systems-advances-rh12-storefront-with-new-radiation-hardened-circuit-technology-for-space-community

参照情報（報道）
Investing.com： https://jp.investing.com/news/company-news/article-93CH-1331492