【要点】
・Waseda University発スタートアップPower Diamond Systemsは、ダイヤモンドMOSFETを用いて200V・1A級のスイッチング動作を実証したと発表した。
・同社はフィールドプレート構造の導入により、ゲート端部の電界集中を抑え、デバイス耐圧と電流駆動の両立を狙ったとしている。
・発表では、単一素子で耐圧550Vと電流0.8Aを示した点も成果として挙げている。
・ダイヤモンド半導体は高い熱伝導率や絶縁破壊電界などの特性が知られ、次世代パワーデバイス材料として研究開発が進む。
・同社は大面積化に依存せず、デバイス設計の最適化で高電流化を進めた点を技術上のポイントとしている。
・本成果はApplied Physics Expressに関連する論文が2026年2月24日に受理されたとしている。
・高温動作や放熱設計の観点で利点が見込まれることから、EVに加え、宇宙機の電源系など高信頼用途への応用可能性が示されている。
・同社はJAXAとの共同研究にも言及し、放射線耐性や高温動作が求められる宇宙用途での適用を目指すとしている。
・同社は2020年代後半の実用化を見据え、商用レベルの性能実証を進める方針を示した。

【参照情報】
公式リリース
ダイヤモンドMOSFETで世界初の200V・1Aスイッチング動作を実現
https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000011.000118415.html
参照記事
Japanese start-up demos diamond MOSFET breakthroughs
https://compoundsemiconductor.net/article/123734/Japanese_start-up_demos_diamond_MOSFET_breakthroughs