要点
- 国際宇宙ステーション（ISS）の日本実験棟「きぼう」の温度勾配炉（GHF）を用いて行われたHicari-II実験の最初の科学論文が、学術誌Materialiaにオープンアクセスで掲載された。
- シリコンゲルマニウム（SiGe）半導体結晶を微小重力下で成長させたところ、結晶成長の開始から1.5時間後と5時間後の時点で、地上実験では見られない高い成長速度が検出された。
- 本実験は、この高い成長速度が、微小重力下で増強される過渡的な組成的過冷却に由来することを明らかにした。
- これらの結果は、宇宙環境に固有のSiGe結晶成長の新たなメカニズムを定量的に解明するものだ。
- 本知見は、微小重力が半導体結晶の形成をどう変えるかについての理解を深める。
- 本研究は、ISS上での材料実験が引き続き科学的価値を持つことを示している。
出典情報
一次情報（公式リリース・自社SNS・公式発言・PRサイト等）
Why Do Crystals Grow Faster in Space? ― SiGe Crystal Growth in Kibo（JAXA）
https://humans-in-space.jaxa.jp/en/biz-lab/news/detail/005790.html